Samsung anuncia UFS 4.0; afirma desempenho 2x sobre UFS 3.1

A Samsung desenvolveu o que afirma ser a memória UFS 4.0 de maior desempenho do setor, implementando os mais novos padrões do Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC). A nova solução de armazenamento tem largura de banda de memória de 23,2 Gbps/via, o dobro do que o atual UFS 3.1 pode oferecer.

O novo memória usa V-NAND de 7ª geração da Samsung e um controlador proprietário, proporcionando velocidades de leitura e gravação sequenciais de até 4.200 MB/s e 2.800 MB/s. Também é 46% mais eficiente que o UFS 3.1, medindo velocidades de dados de 6 MB/s por miliamperes. Isso significa que a vida útil da bateria será melhor, apesar do aumento da velocidade de armazenamento.

Samsung anuncia UFS 4.0;  afirma desempenho 2x sobre UFS 3.1

Embora as variantes de tamanho cheguem a 1 TB, o chip será relativamente compacto com 11 mm x 13 mm x 1 mm. A produção está prevista para começar no terceiro trimestre de 2022. A nova memória também recebeu a aprovação do Conselho de Administração da JEDEC.

A Samsung afirma que a nova solução é perfeita para telefones 5G, considerando a quantidade de dados que esses telefones poderão baixar e armazenar, graças às velocidades mais rápidas da Internet. A empresa também observa que a nova memória deve funcionar bem com AR. VR e aplicações automotivas no futuro.

Resumo rápido

O UFS 4.0 tem uma largura de banda de memória de 23,2 Gbps, o dobro do UFS 3.1
O chip tem velocidades de leitura e gravação sequenciais de 4.200 MB/s e 2.800 MB/s, respectivamente.
Também é 46% mais eficiente em termos energéticos em comparação com o UFS 3.1, transferindo a uma taxa de 6 MB/s por mA.

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